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NTMFS1D7N04XMT1G

Name: onsemi NTMFS1D7N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS1D7N04XMT1G
Price: 1.05 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NTMFS1D7N04XMT1G

N° de fab. :

NTMFS1D7N04XMT1G

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET 40V T10M IN SO8FL PACKAGE

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

NTMFS1D7N04XMT1G Fiche technique

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	0,464 €	464,00 €
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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-5
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	154 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.65 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.5 V
Qg - Charge de grille:	29 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	75 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	MY
Temps de descente:	17 ns
Transconductance directe - min.:	77 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	13 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	10 ns
Délai d'activation standard:	7 ns

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Fiche technique

NTMFS1D7N04XMT1G Fiche technique

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET basse/moyenne tension T10

Les MOSFET basse/moyenne tension T10 d'onsemi sont desMOSFET de puissance monocanal N dans les catégories 40 V et 80 V avec des performances améliorées, une plus grande efficacité du système et une haute densité de puissance. Ces MOSFET de puissance présentent une faible R_DS(on) pour minimiser les pertes de conduction et une faible capacité pour minimiser les pertes du pilote. Les MOSFET basse/moyenne tension T10 offrent un faible Q_RRet une diode de corps à récupération progressive. Ces MOSFET sont conformes à la directive RoHS et sont sans Pb et sans halogène/sans BFR. Les applications typiques incluent le redressement synchrone (SR) dans les convertisseurs CC-CC et CA-CC, le commutateur principal dans un convertisseur CC-CC isolé, la protection de batterie et les entraînements à moteur.