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NTH4L016N065M3S

Name: onsemi NTH4L016N065M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L016N065M3S
Price: 13.85 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NTH4L016N065M3S

N° de fab. :

NTH4L016N065M3S

Fab. :

onsemi

Description :

SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 16MOHM 650V M3S

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

NTH4L016N065M3S Fiche technique

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	71 A
Rds On - Résistance drain-source:	23.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, 22.6 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	100 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	300 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	EliteSiC
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	45 ns
Conditionnement:	Tube
Produit:	SiC MOSFET
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	20 ns
Série:	NTH4L016N065M3S
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	45 ns
Délai d'activation standard:	6.5 ns

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Fiche technique

NTH4L016N065M3S Fiche technique

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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