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NTBL075N065SC1

Name: onsemi NTBL075N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBL075N065SC1
Price: 7.1 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NTBL075N065SC1

N° de fab. :

NTBL075N065SC1

Fab. :

onsemi

Description :

SiC MOSFET M2 650V SIC MOSFET 75MOHM

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

NTBL075N065SC1 Fiche technique

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SO-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	37 A
Rds On - Résistance drain-source:	85 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 8 V, + 22.6 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.3 V
Qg - Charge de grille:	59 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 170 C
Pd - Dissipation d’énergie :	139 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	EliteSiC
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	PH
Temps de descente:	8 ns
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	12 ns
Série:	NTBL075N065SC1
Nombre de pièces de l'usine:	2000
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	20 ns
Délai d'activation standard:	9 ns

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NTBL075N065SC1 Fiche technique

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET EliteSiC (carbure de silicium) 650 V

Les MOSFET EliteSiC (carbure de silicium) 650 V onsemi utilisent une technologie qui fournit des performances de commutation et une fiabilité supérieures à celles du silicium. De plus, la faible résistance à l’état passant et la taille compacte de puce assurent une capacité et une charge de grille faibles. Par conséquent, les avantages du système incluent le rendement le plus élevé, une fréquence de fonctionnement plus rapide, une densité de puissance accrue, une réduction des EMI et une taille de système réduite. Le boîtier TOLL onsemi offre des performances thermiques améliorées et d’excellentes performances de commutation grâce à la configuration de la source Kelvin et à une inductance de source parasite plus faible. TOLL offre un niveau de sensibilité à l'humidité 1 (MSL 1).