Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Retourner aux résultats de la recherche

Vous voyez une erreur ?

NTBL060N065SC1

Name: onsemi NTBL060N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBL060N065SC1
Price: 7.42 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

863-NTBL060N065SC1

N° de fab. :

NTBL060N065SC1

Fab. :

onsemi

Description :

SiC MOSFET M2 650V SIC MOSFET 60MOHM

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

NTBL060N065SC1 Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de onsemi NTBL060N065SC1

En stock: 1 983

Stock:: 1 983 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 20 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Long délai signalé sur ce produit.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	7,42 €	7,42 €
	5,41 €	54,10 €
	4,48 €	448,00 €
	4,43 €	2 215,00 €
	4,33 €	4 330,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2000)
	4,25 €	8 500,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SO-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	46 A
Rds On - Résistance drain-source:	70 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 8 V, + 22.6 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.3 V
Qg - Charge de grille:	74 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 170 C
Pd - Dissipation d’énergie :	170 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	EliteSiC
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	PH
Temps de descente:	11 ns
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	14 ns
Série:	NTBL060N065SC1
Nombre de pièces de l'usine:	2000
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	24 ns
Délai d'activation standard:	11 ns

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

NTBL060N065SC1 Fiche technique

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET EliteSiC (carbure de silicium) 650 V

Les MOSFET EliteSiC (carbure de silicium) 650 V onsemi utilisent une technologie qui fournit des performances de commutation et une fiabilité supérieures à celles du silicium. De plus, la faible résistance à l’état passant et la taille compacte de puce assurent une capacité et une charge de grille faibles. Par conséquent, les avantages du système incluent le rendement le plus élevé, une fréquence de fonctionnement plus rapide, une densité de puissance accrue, une réduction des EMI et une taille de système réduite. Le boîtier TOLL onsemi offre des performances thermiques améliorées et d’excellentes performances de commutation grâce à la configuration de la source Kelvin et à une inductance de source parasite plus faible. TOLL offre un niveau de sensibilité à l'humidité 1 (MSL 1).