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MSC040SMB120B4N

Name: Microchip MSC040SMB120B4N
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSC040SMB120B4N
Price: 8.21 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

579-MSC040SMB120B4N

N° de fab. :

MSC040SMB120B4N

Fab. :

Microchip Technology

Description :

SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4 Notch

Cycle de vie:

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Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

MSC040SMB120B4N Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Microchip
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Thorugh Hole
Package/Boîte:	TO-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	54 A
Rds On - Résistance drain-source:	53 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, 21 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5 V
Qg - Charge de grille:	69 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	256 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	Microchip Technology
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	10 ns
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	14 ns
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	24 ns
Délai d'activation standard:	16 ns

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Fiche technique

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CAHTS:: 8541290000
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JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET SIC 1 200 V

Les MOSFET SIC 1 200 V de Microchip Technology offrent une haute efficacité dans une solution plus légère et plus compacte. Les dispositifs fournissent une faible résistance de grille interne (ESR), ce qui se traduit par un retard de commutation faible. Les MOSFET sont simples à actionner et faciles à mettre en parallèle, avec des capacités thermiques améliorées et des pertes de commutation réduites.