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MRFE6VP5600HR5

Name: NXP MRFE6VP5600HR5
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 841-MRFE6VP5600HR5
Price: 498.81 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

841-MRFE6VP5600HR5

N° de fab. :

MRFE6VP5600HR5

Fab. :

NXP Semiconductors

Description :

Transistors MOSFET RF VHV6 600W 50V NI1230H

Cycle de vie:

Fin de vie:

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Fiche technique:

MRFE6VP5600HR5 Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	NXP
Catégorie du produit:	Transistors MOSFET RF
RoHS:
Polarité du transistor:	N-Channel
Technologie:	Si
Id - Courant continu de fuite:	2 A
Vds - Tension de rupture drain-source:	130 V
Fréquence de fonctionnement:	1.8 MHz to 600 MHz
Gain:	25 dB
Alimentation en sortie:	600 W
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	NI-1230
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	NXP Semiconductors
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	MY
Pd - Dissipation d’énergie :	1.667 kW
Type de produit:	RF MOSFET Transistors
Série:	MRFE6VP5600H
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	MOSFETs
Type:	RF Power MOSFET
Vgs - Tension grille-source:	+ 10 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.7 V
Raccourcis pour l'article N°:	935310538178
Poids de l''unité:	13,155 g

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Fiche technique

MRFE6VP5600HR5 Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504409190
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MRFE6VPx Lateral N-Ch Broadband RF Power MOSFETs

NXP's MRFE6VPx Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs are designed for use in high VSWR industrial (including laser and plasma exciters), broadcast (analog and digital), aerospace, and radio/land-mobile applications. They are unmatched input and output designs allowing wide frequency range utilization, between 1.8 and 600MHz. They can be used single-ended or in a push-pull configuration and are suitable for linear applications with appropriate biasing. These RF MOSFETs are capable of handling a load mismatch of 65:1 V_SWR, a 50V_DC, 230MHz at all phase angles.