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MR4A08BYS35

Name: Everspin Technologies MR4A08BYS35
Brand: Everspin Technologies
SKU: 936-MR4A08BYS35
Price: 39.26 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

936-MR4A08BYS35

N° de fab. :

MR4A08BYS35

Fab. :

Everspin Technologies

Description :

MRAM 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM

Fiche technique:

MR4A08BYS35 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	39,26 €	39,26 €
	36,29 €	362,90 €
	35,12 €	878,00 €
	34,25 €	1 712,50 €
	33,02 €	3 302,00 €
	29,73 €	8 027,10 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Everspin Technologies
Catégorie du produit:	MRAM
RoHS:
Package/Boîte:	TSOP-II-44
Type d'interface:	Parallel
Taille de la mémoire:	16 Mbit
Organisation:	2 M x 8
Largeur du bus de données:	8 bit
Temps d'accès:	35 ns
Tension d’alimentation - Min.:	3 V
Tension d’alimentation - Max.:	3.6 V
Courant d'alimentation de fonctionnement:	60 mA, 152 mA
Température de fonctionnement min.:	0 C
Température de fonctionnement max.:	+ 70 C
Série:	MR4A08B
Conditionnement:	Tray
Marque:	Everspin Technologies
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	TW
Sensibles à l’humidité:	Yes
Style de montage:	SMD/SMT
Pd - Dissipation d’énergie :	600 mW
Type de produit:	MRAM
Nombre de pièces de l'usine:	135
Sous-catégorie:	Memory & Data Storage
Nom commercial:	Parallel I/O (x8)
Poids de l''unité:	12,083 g

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Fiche technique

MR4A08BYS35 Fiche technique (PDF)

PCN

Alternative Format for Trace Codes (PDF)

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CNHTS:: 8542329090
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
JPHTS:: 8542320312
KRHTS:: 8542321040
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

MR4A08B & MR4A16B 16Mb Parallel MRAMs

Everspin Technologies MR4A08B and MR4A16B 16Mb Parallel MRAM devices provide SRAM compatible 35ns read/write timing with unlimited endurance. The Everspin Technologies MR4A08B is a 16,777,216-bit Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) device organized as 2,097,152 words of 8 bits.

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.