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MR2A08AMYS35

Name: Everspin Technologies MR2A08AMYS35
Brand: Everspin Technologies
SKU: 936-MR2A08AMYS35
Price: 47.25 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

936-MR2A08AMYS35

N° de fab. :

MR2A08AMYS35

Fab. :

Everspin Technologies

Description :

MRAM 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM

Fiche technique:

MR2A08AMYS35 Fiche technique (PDF)

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	47,25 €	47,25 €
	43,59 €	435,90 €
	42,18 €	1 054,50 €
	41,14 €	2 057,00 €
	34,51 €	3 451,00 €
	34,50 €	9 315,00 €
540	Devis

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Everspin Technologies
Catégorie du produit:	MRAM
RoHS:
Package/Boîte:	TSOP-II-44
Type d'interface:	Parallel
Taille de la mémoire:	4 Mbit
Organisation:	512 k x 8
Largeur du bus de données:	8 bit
Temps d'accès:	35 ns
Tension d’alimentation - Min.:	3 V
Tension d’alimentation - Max.:	3.6 V
Courant d'alimentation de fonctionnement:	30 mA, 90 mA
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 125 C
Série:	MR2A08A
Conditionnement:	Tray
Marque:	Everspin Technologies
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	TW
Sensibles à l’humidité:	Yes
Style de montage:	SMD/SMT
Pd - Dissipation d’énergie :	600 mW
Type de produit:	MRAM
Nombre de pièces de l'usine:	135
Sous-catégorie:	Memory & Data Storage
Nom commercial:	Parallel I/O (x8)

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Fiche technique

MR2A08AMYS35 Fiche technique (PDF)

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CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
JPHTS:: 8542320312
KRHTS:: 8542321040
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

MR2A08A & MR2A16A 4Mb Parallel MRAM

Everspin Technologies MR2A08A and MR2A16A 4Mb Parallel MRAM devices offer SRAM compatible 35ns read/write timing with unlimited endurance. The MR2A08A series products are 4,194,304-bit Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) devices organized as 524,288 words of 8 bits.

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.