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MR25H128ACDF

Name: Everspin Technologies MR25H128ACDF
Brand: Everspin Technologies
SKU: 936-MR25H128ACDF
Price: 4.98 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

936-MR25H128ACDF

N° de fab. :

MR25H128ACDF

Fab. :

Everspin Technologies

Description :

MRAM 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI

Fiche technique:

MR25H128ACDF Fiche technique (PDF)

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	4,98 €	4,98 €
	4,64 €	46,40 €
	4,51 €	112,75 €
	4,39 €	219,50 €
	4,29 €	429,00 €
	4,15 €	1 037,50 €
	4,03 €	2 297,10 €
	4,01 €	4 571,40 €
	3,70 €	10 545,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Everspin Technologies
Catégorie du produit:	MRAM
RoHS:
Package/Boîte:	DFN-8
Type d'interface:	SPI
Taille de la mémoire:	128 kbit
Organisation:	16 k x 8
Largeur du bus de données:	8 bit
Tension d’alimentation - Min.:	2.7 V
Tension d’alimentation - Max.:	3.6 V
Courant d'alimentation de fonctionnement:	6 mA, 23 mA
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 85 C
Série:	MR25H128A
Conditionnement:	Tray
Marque:	Everspin Technologies
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	PH
Sensibles à l’humidité:	Yes
Style de montage:	SMD/SMT
Pd - Dissipation d’énergie :	600 mW
Type de produit:	MRAM
Nombre de pièces de l'usine:	570
Sous-catégorie:	Memory & Data Storage
Nom commercial:	Serial I/O (SPI)

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Fiche technique

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CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

MR25Hxx Serial SPI MRAMs

Everspin Technologies MR25Hxx Serial SPI MRAMs offer serial EEPROM and serial Flash compatible read/write timing with no write delays and unlimited read/write endurance. Unlike other serial memories, both reads and writes can occur randomly in memory with no delay between writes.

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.