Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Retourner aux résultats de la recherche

Vous voyez une erreur ?

MMBT5551W_R1_00701

Name: Panjit MMBT5551W_R1_00701
Brand: Panjit
SKU: 241-MMBT5551WR100701
Price: 0.14 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

241-MMBT5551WR100701

N° de fab. :

MMBT5551W_R1_00701

Fab. :

Panjit

Description :

Transistors bipolaires - BJT NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

Fiche technique:

MMBT5551W_R1_00701 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de Panjit MMBT5551W_R1_00701

En stock: 29 441

Stock:: 29 441 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 8 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,146 €	0,15 €
	0,087 €	0,87 €
	0,054 €	5,40 €
	0,04 €	20,00 €
	0,034 €	34,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,028 €	84,00 €
	0,025 €	150,00 €
	0,021 €	189,00 €
	0,019 €	456,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Panjit
Catégorie du produit:	Transistors bipolaires - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT-323-3
Polarité du transistor:	NPN
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	160 V
Collecteur - Tension de base VCBO:	180 V
Émetteur - Tension de base VEBO:	6 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	200 mV
Pd - Dissipation d’énergie :	200 mW
Produit gain-bande passante fT :	300 MHz
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Panjit
Courant de collecteur continu :	600 mA
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	TW
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base:	80 V at 10 mA, 5 V
Gain de courant CC hFE max.:	250 V at 10 mA, 5 V
Type de produit:	BJTs - Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	5 mg

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

MMBT5551W_R1_00701 Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210075
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

MMBT5551W NPN Silicon High-Voltage Transistors

PANJIT MMBT5551W NPN Silicon High-Voltage Transistors offer a collector-emitter voltage (V_CE) of 160V and a collector current (I_C) rating of 600mA. The PANJIT MMBT5551W is suitable for a wide range of electronic applications. This transistor is environmentally friendly, lead-free, and complies with EU RoHS 2.0 regulations. Additionally, it features a green molding compound that meets the IEC 61249 standard.