Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Retourner aux résultats de la recherche

Vous voyez une erreur ?

MJD41CQ-13

Name: Diodes Incorporated MJD41CQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-MJD41CQ-13
Price: 0.9 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

621-MJD41CQ-13

N° de fab. :

MJD41CQ-13

Fab. :

Diodes Incorporated

Description :

Transistors bipolaires - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K

Fiche technique:

MJD41CQ-13 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de Diodes Incorporated MJD41CQ-13

En stock: 2 493

Stock:: 2 493 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 40 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Long délai signalé sur ce produit.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	0,903 €	0,90 €
	0,561 €	5,61 €
	0,369 €	36,90 €
	0,29 €	145,00 €
	0,248 €	248,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	0,224 €	560,00 €
	0,20 €	1 000,00 €
	0,193 €	1 930,00 €
	0,187 €	4 675,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Diodes Incorporated
Catégorie du produit:	Transistors bipolaires - BJT
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-252-3
Polarité du transistor:	NPN
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	100 V
Collecteur - Tension de base VCBO:	120 V
Émetteur - Tension de base VEBO:	7 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.5 V
Pd - Dissipation d’énergie :	2.7 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Qualification:	AEC-Q100
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Diodes Incorporated
Courant de collecteur continu :	6 A
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base:	15
Type de produit:	BJTs - Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

MJD41CQ-13 Fiche technique (PDF)

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Transistors automobiles de moyenne puissance MJD

Les transistors automobiles de moyenne puissance MJD de Diodes Inc. sont des transistors bipolaires qualifiés AEC-Q101, compatibles PHPP et fabriqués dans des installations certifiées IATF16949. Chaque composant dispose d'une tension de rupture collecteur-émetteur de 50 V ou 100 V (minimum). Les transistors automobiles de moyenne puissance MJD de Diodes Inc. sont fournis en boîtier TO-252 (DPAK) et sont idéaux pour les applications de commutation de puissance ou d'amplification.