KTDM4G4B826BGIEAT

SMARTsemi
473-M4G4B826BGIEAT
KTDM4G4B826BGIEAT

Fab. :

Description :
DRAM DRAM DDR4 4GB 512MX8 2666Mbps 1.2V 78-FBGA Industrial

Fiche technique:
Modèle de ECAO:
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10,07 € 10,07 €
9,71 € 97,10 €
8,34 € 1 751,40 €
8,13 € 3 414,60 €
7,92 € 8 316,00 €
2 520 Devis

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
SMART
Catégorie du produit: DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR4
4 Gbit
8 bit
1.333 GHz
FBGA-78
512 M x 8
1.14 V
1.26 V
- 40 C
+ 85 C
KTDM
Tray
Marque: SMARTsemi
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: TW
Sensibles à l’humidité: Yes
Style de montage: SMD/SMT
Type de produit: DRAM
Nombre de pièces de l'usine: 210
Sous-catégorie: Memory & Data Storage
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320036
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

DDR4 Memory ICs

SMARTsemi DDR4 Memory ICs feature a power supply (JEDEC standard 1.2V) of VDD = 1.2V ± 5%, and VPP = 2.375V to 2.75V. The ICs have up to 8 banks (4 banks x 2 bank groups) for x 16 products. The DDR4 feature a Pseudo Open Drain (POD) interface with a Burst Length (BL) of 8 and 4 with Burst Chop (BC).

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