KTDM4G4B626BGCEAT

SMARTsemi
473-M4G4B626BGCEAT
KTDM4G4B626BGCEAT

Fab. :

Description :
DRAM DRAM DDR4 4GB 256MX16 2666Mbps 1.2V 96-FBGA Commercial

Modèle de ECAO:
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Disponibilité

Stock:
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Délai usine :
39 Semaines Délai de production estimé en usine.
Long délai signalé sur ce produit.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
19,28 € 19,28 €
17,87 € 178,70 €
17,30 € 432,50 €
16,88 € 844,00 €
16,46 € 1 646,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
SMART
Catégorie du produit: DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR4
4 Gbit
16 bit
1.333 GHz
FBGA-96
256 M x 16
1.14 V
1.26 V
0 C
+ 85 C
KTDM
Tray
Marque: SMARTsemi
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: TW
Sensibles à l’humidité: Yes
Style de montage: SMD/SMT
Type de produit: DRAM
Nombre de pièces de l'usine: 198
Sous-catégorie: Memory & Data Storage
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Attributs sélectionnés: 0

CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320036
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

DDR4 Memory ICs

SMARTsemi DDR4 Memory ICs feature a power supply (JEDEC standard 1.2V) of VDD = 1.2V ± 5%, and VPP = 2.375V to 2.75V. The ICs have up to 8 banks (4 banks x 2 bank groups) for x 16 products. The DDR4 feature a Pseudo Open Drain (POD) interface with a Burst Length (BL) of 8 and 4 with Burst Chop (BC).