KTDM4G3C818BGIEAT

SMARTsemi
473-M4G3C818BGIEAT
KTDM4G3C818BGIEAT

Fab. :

Description :
DRAM DRAM DDR3(L) 4GB 512MX8 1866Mbps 1.35V/1.5V 78-FBGA Industrial

Fiche technique:
Modèle de ECAO:
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9,98 € 99,80 €
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9,44 € 472,00 €
9,22 € 922,00 €
8,91 € 1 871,10 €
8,69 € 3 649,80 €
8,47 € 8 893,50 €
2 520 Devis

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
SMART
Catégorie du produit: DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR3L
4 Gbit
8 bit
933 MHz
FBGA-78
512 M x 8
1.283 V
1.575 V
- 40 C
+ 85 C
KTDM
Tray
Marque: SMARTsemi
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: TW
Sensibles à l’humidité: Yes
Style de montage: SMD/SMT
Type de produit: DRAM
Nombre de pièces de l'usine: 210
Sous-catégorie: Memory & Data Storage
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320036
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

DDR3 Memory ICs

SMARTsemi DDR3 Memory ICs feature a double data rate architecture to achieve high-speed operation. The ICs achieve high-speed double-data-rate transfer rates of up to 1866Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all key DDR3(L) DRAM key features, and all control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks.

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