Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Retourner aux résultats de la recherche

Vous voyez une erreur ?

IXYK110N120A4

Name: IXYS IXYK110N120A4
Brand: IXYS
SKU: 747-IXYK110N120A4
Price: 24 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

747-IXYK110N120A4

N° de fab. :

IXYK110N120A4

Fab. :

IXYS

Description :

IGBTs TO264 1200V 110A GENX4

Fiche technique:

IXYK110N120A4 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de IXYS IXYK110N120A4

En stock: 148

Stock:: 148 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 32 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	24,00 €	24,00 €
	18,37 €	183,70 €
	16,40 €	1 640,00 €
	16,36 €	8 180,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-264-3
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	1.2 kV
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.8 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	375 A
Pd - Dissipation d’énergie :	1.36 kW
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	Trench
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Courant de collecteur continu Ic max.:	900 A
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Courant de fuite gâchette-émetteur:	200 nA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	25
Sous-catégorie:	IGBTs
Nom commercial:	XPT

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

IXYK110N120A4 Fiche technique (PDF)

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IGBT à tranchée IXYx110N120A4 1 200 V XPT™ GenX4™

Les IGBT en tranchée XPT™ GenX4™ 1 200 V IXYx110N120A4 d'IXYS sont des IGBT à gain élevé optimisés pour une V_CE(sat) à pertes de conduction très faibles et pour des fréquences de commutation atteignant 5 kHz. La technologie à couche mince et les processus améliorés permettent une faible charge de grille QG, d'où une faible exigence de courant de grille. Le gain élevé accroît la capacité de courant de choc et le coefficient de température positif de V_CE(sat) simplifie la mise en parallèle. La faible résistance thermique de Rth(j-c) facilite les problèmes de conception liés à la température.

650V XPT™ High Speed Trench IGBTs

IXYS 650V XPT™ High Speed Trench IGBTs are designed to minimize conduction and switching losses, especially in hard-switching applications. IXYS 650V XPT High Speed Trench IGBTs are optimized for different switching speed ranges (up to 60kHz). Devices co-packed with IXYS ultra-fast Sonic-FRD™ diodes are also available. The current ratings of devices in this product family range from 30A to 200A at a high temperature of +110°C. These devices feature reduced thermal resistance, low energy losses, fast switching, low tail current, and high current densities. In addition, they display exceptional ruggedness under short-circuit conditions - a 10μs Short Circuit Safe Operating Area (SCSOA).

Solutions pour véhicules électriques tout-terrain

Littelfuse fournit une large gamme de solutions pour les véhicules électriques tout-terrain. Ces véhicules électriques partagent une architecture similaire et ont une plage de puissance de 48 V à 400 V. Les véhicules électriques tout-terrain comprennent des chariots élévateurs électriques, des chariots de golf, des véhicules à trois roues, des tracteurs de remorquage, des compacteurs et des excavateurs.

Alimentation CA-CC

L'alimentation CA-CC de Littelfuse est un bloc de construction couramment utilisé dans les conceptions électroniques. Les composants de ces blocs de construction d'alimentation doivent être fiables et durables, et Littelfuse propose une gamme de produits qui répondent à ces exigences. Ce portefeuille de composants couvre la protection contre les surintensités et les surtensions, l'étage de puissance et la protection des sorties. Les applications typiques pour les produits d'alimentation CC/CA de Littelfuse comprennent l'automobile, le solaire, l'industrie, la fabrication et plus encore.

IGBT à tranchée 650 V à 1 200 V XPT™ GenX4™

Les IGBT à tranchée IXYS 650 V à 1 200 V XPT™ GenX4™ sont développées à l'aide d'une technologie propriétaire à plaquette mince XPT et d'un processus de 4e génération (GenX4™) de tranchée IGBT à la pointe de la technologie. Ces transistors bipolaires à portes isolées présentent une résistance thermique réduite, de faibles pertes énergie, une commutation rapide, un faible courant résiduel et de hautes densités de courant. Ces composants présentent une robustesse exceptionnelle pendant la commutation et en cas de court-circuit.

IGBT IXYxN120A4 XPT™ GenX4™

Les IGBT IXYxN120A4 XPT™ GenX4™ d'IXYS sont des IGBT à tranchée de 4e génération dotés de la technologie XPT à couche mince. Ces transistors IGBT à V_SAT ultra-faibles prennent en charge des fréquences de commutation atteignant 5 kHz et sont optimisés pour de faibles pertes de conduction. Les IGBT IXYxN120A offrent des avantages tels qu'une densité de puissance élevée, de faibles exigences de commande de grille, et ont une température de fonctionnement de -55 °C à 175 °C. Ces transistors sont délivrés dans des boîtiers TO-247 et TO-269HV, chacun ayant une tension de 1 200 V et un courant de 55 A ou 85 A. Les IGBT IXYxN120A sont utilisés dans des applications telles que les onduleurs de puissance, les commandes de moteurs, les circuits PFC, les chargeurs de batteries, les machines de soudage, les ballasts de lampes et les circuits de protection du courant d'appel.

Electrical Vehicle DC Fast Chargers

DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.