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IXFH34N65X3

Name: IXYS IXFH34N65X3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH34N65X3
Price: 7.43 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXFH34N65X3

N° de fab. :

IXFH34N65X3

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET TO247 650V 34A N-CH X3CLASS

Fiche technique:

IXFH34N65X3 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	7,43 €	7,43 €
	4,34 €	43,40 €
	4,33 €	519,60 €
	3,78 €	1 927,80 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	34 A
Rds On - Résistance drain-source:	100 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5.2 V
Qg - Charge de grille:	29 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	446 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Temps de descente:	6 ns
Transconductance directe - min.:	13 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	10 ns
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	47 ns
Délai d'activation standard:	24 ns

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Fiche technique

IXFH34N65X3 Fiche technique (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance HiPerFET™ de classe X3

Les MOSFET de puissance HiPerFET™ IXYS de classe X3 sont des MOSFET à canal N, à mode d'amélioration et classés avalanche. La classe X3 fournit une densité de puissance élevée et est facile à monter, le tout dans un boîtier peu encombrant. Les MOSFET de classe X3 d'IXYS sont idéaux pour les alimentations en mode commutation et en mode résonant.