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ISC300N20NM6ATMA1

Name: Infineon ISC300N20NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC300N20NM6ATMA
Price: 3.15 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-ISC300N20NM6ATMA

N° de fab. :

ISC300N20NM6ATMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

ISC300N20NM6ATMA1 Fiche technique (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SON-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	200 V
Id - Courant continu de fuite:	44 A
Rds On - Résistance drain-source:	30 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.5 V
Qg - Charge de grille:	17 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	136 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	OptiMOS
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	AT
Temps de descente:	6 ns
Transconductance directe - min.:	22 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	7 ns
Série:	OptiMOS 6
Nombre de pièces de l'usine:	5000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	11 ns
Délai d'activation standard:	8 ns
Raccourcis pour l'article N°:	ISC300N20NM6 SP006070094

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ISC300N20NM6ATMA1 Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance OptiMOS™ de 6 200 V

Les MOSFET de puissance OptiMOS™ de 6 200 V d'Infineon Technologies sont des MOSFET à canal N de niveau normal disponibles dans les boîtiers PG-TO263-3, PG-TO220-3 et PG-HDSOP-16. Ces MOSFET présentent un excellent produit de charge de grille x R_DS(on) (FOM), une charge de récupération inverse très faible (Q_rr) et une faible résistance R_DS(on) à l'état passant. Les MOSFET OptiMOS™ de 6 200 V fonctionnent à une température de 175 °C. Ces MOSFET sont sans halogène conformément à la norme IEC61249‑2‑21 et observent un niveau de sensibilité à l'humidité (MSL 1) selon les normes J‑STD-020. Les MOSFET OptiMOS™ de 6 200 V sont idéaux pour les applications dans le domaine des énergies renouvelables, le contrôle de moteur, les amplificateurs audio et les applications industrielles.

Transistors de puissance MOSFET OptiMOS™ 6

Les MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 Infineon Technologies offre une innovation de nouvelle génération, à la pointe et les meilleures performances de leur catégorie. La famille OptiMOS 6 utilise une technologie à couche mince qui procure des avantages significatifs en termes de performance. Par rapport aux autres produits, les MOSFET de puissance OptiMOS 6 offrent une réduction de R_DS(ON) de 30 % et sont optimisés pour le redressement synchrone.