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ISC024N08NM7ATMA1

Name: Infineon ISC024N08NM7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC024N08NM7ATMA
Price: 2.79 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-ISC024N08NM7ATMA

N° de fab. :

ISC024N08NM7ATMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

ISC024N08NM7ATMA1 Fiche technique (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PG-TDSON-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	80 V
Id - Courant continu de fuite:	167 A
Rds On - Résistance drain-source:	2.4 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.2 V
Qg - Charge de grille:	49 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	150 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	5 ns
Transconductance directe - min.:	130 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	3.8 ns
Nombre de pièces de l'usine:	5000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	20.4 ns
Délai d'activation standard:	10.3 ns
Raccourcis pour l'article N°:	ISC024N08NM7 SP006183896

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 canal N

Les MOSFET de puissance à canal N OptiMOS™ 7 d'Infineon Technologies sont des transistors à canal N haute performance conçus pour les applications de conversion d'énergie exigeantes. Ces MOSFET offrent une résistance en conduction très faible, une résistance thermique supérieure et un excellent rapport Miller pour une robustesse dv/dt. Les MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 sont optimisés pour les topologies de commutation dure et douce, ainsi que pour les FOM_oss. Ces MOSFET sont 100 % testés en mode avalanche et sont conforme à la directive RoHS. Les MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 sont sans halogène conformément à la norme CEI61249‑2‑21.