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IS66WVR8M8FBLL-104NLI

Name: ISSI IS66WVR8M8FBLL-104NLI
Brand: ISSI
SKU: 870-WVR8M8FBLL104NLI
Price: 4.52 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

870-WVR8M8FBLL104NLI

N° de fab. :

IS66WVR8M8FBLL-104NLI

Fab. :

ISSI

Description :

DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS

Cycle de vie:

Nouveau produit:

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Fiche technique:

IS66WVR8M8FBLL-104NLI Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ISSI
Catégorie du produit:	DRAM
RoHS:
Type:	PSRAM (Pseudo SRAM)
Taille de la mémoire:	64 Mbit
Largeur du bus de données:	8 bit
Fréquence de l'horloge max.:	104 MHz
Package/Boîte:	SOIC-8
Organisation:	8 M x 8
Temps d'accès:	7 ns
Tension d’alimentation - Min.:	2.7 V
Tension d’alimentation - Max.:	3.6 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 85 C
Marque:	ISSI
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	TW
Sensibles à l’humidité:	Yes
Style de montage:	SMD/SMT
Type de produit:	DRAM
Nombre de pièces de l'usine:	100
Sous-catégorie:	Memory & Data Storage
Courant d’alimentation maximal:	15 mA

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Fiche technique

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CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320002
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: 3A991.b.2.a

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.