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IS66WVQ16M4FBLL-200BLI

Name: ISSI IS66WVQ16M4FBLL-200BLI
Brand: ISSI
SKU: 870-VQ16M4DBLL200BLI
Price: 4.16 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

870-VQ16M4DBLL200BLI

N° de fab. :

IS66WVQ16M4FBLL-200BLI

Fab. :

ISSI

Description :

DRAM 64Mb, QUADRAM, 2.7V-3.6V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS

Cycle de vie:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ISSI
Catégorie du produit:	DRAM
RoHS:
Type:	SDRAM
Taille de la mémoire:	64 Mbit
Fréquence de l'horloge max.:	200 MHz
Package/Boîte:	TFBGA-24
Tension d’alimentation - Min.:	2.7 V
Tension d’alimentation - Max.:	3.6 V
Marque:	ISSI
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	TW
Sensibles à l’humidité:	Yes
Style de montage:	SMD/SMT
Type de produit:	DRAM
Nombre de pièces de l'usine:	480
Sous-catégorie:	Memory & Data Storage

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Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.