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IS66WV51216EBLL-55TLI

Name: ISSI IS66WV51216EBLL-55TLI
Brand: ISSI
SKU: 870-66WV512EBLL55TLI
Price: 3.79 EUR
Availability: InStock

N° Mouser :

870-66WV512EBLL55TLI

N° de fab. :

IS66WV51216EBLL-55TLI

Fab. :

ISSI

Description :

SRAM 8Mb Pseudo SRAM Async 512Kx16 55ns

Fiche technique:

IS66WV51216EBLL-55TLI Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ISSI
Catégorie du produit:	SRAM
RoHS:
Taille de la mémoire:	8 Mbit
Organisation:	512 k x 16
Temps d'accès:	55 ns
Type d'interface:	Parallel
Tension d’alimentation - Max.:	3.6 V
Tension d’alimentation - Min.:	2.5 V
Courant d’alimentation maximal:	28 mA
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 85 C
Style de montage:	SMD/SMT
Marque:	ISSI
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	TW
Sensibles à l’humidité:	Yes
Type de produit:	SRAM
Série:	IS66WV51216EBLL
Nombre de pièces de l'usine:	135
Sous-catégorie:	Memory & Data Storage
Poids de l''unité:	2,870 g

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Fiche technique

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Models

IS66WV51216EBLL-55TLI Symbol & Footprint by SnapMagic

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TARIC:: 8542324500
CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320030
USHTS:: 8542320041
JPHTS:: 854232019
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: 3A991.b.2.a

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.