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IRF540ZPBF

Name: Infineon IRF540ZPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 942-IRF540ZPBF
Price: 1.09 EUR
Availability: InStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

942-IRF540ZPBF

N° de fab. :

IRF540ZPBF

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET MOSFT 100V 36A 26.5mOhm 42nC Qg

Fiche technique:

IRF540ZPBF Fiche technique (PDF)

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	0,672 €	6,72 €
	0,618 €	61,80 €
	0,488 €	244,00 €
	0,445 €	445,00 €
	0,427 €	854,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	36 A
Rds On - Résistance drain-source:	26.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	42 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	92 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	CN
Pays de diffusion:	TW
Pays d'origine:	TW
Type de produit:	MOSFETs
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Poids de l''unité:	2 g

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SPICE Models

Spice Model - IRF540Z

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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