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IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1

Name: Infineon IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IQEH80NE2LM7UCGS
Price: 2.27 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-IQEH80NE2LM7UCGS

N° de fab. :

IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1 Fiche technique (PDF)

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	0,763 €	763,00 €
	0,759 €	1 897,50 €
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	0,723 €	4 338,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	25 V
Id - Courant continu de fuite:	282 A
Rds On - Résistance drain-source:	800 uOhms
Vgs - Tension grille-source:	16 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	17.2 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	107 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	OptiMOS
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	AT
Temps de descente:	2.7 ns
Transconductance directe - min.:	50 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	1.4 ns
Série:	OptiMOS 7
Nombre de pièces de l'usine:	6000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	20.1 ns
Délai d'activation standard:	5.4 ns
Raccourcis pour l'article N°:	IQEH80NE2LM7UCGSC SP006008718

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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