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IPB95R450PFD7ATMA1

Name: Infineon IPB95R450PFD7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPB95R450PFD7ATM
Price: 2.75 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

726-IPB95R450PFD7ATM

N° de fab. :

IPB95R450PFD7ATMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET LOW POWER_NEW

Fiche technique:

IPB95R450PFD7ATMA1 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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	0,946 €	946,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	950 V
Id - Courant continu de fuite:	13.3 A
Rds On - Résistance drain-source:	450 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.5 V
Qg - Charge de grille:	43 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	104 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	DE
Temps de descente:	4.7 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	8.7 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	45 ns
Délai d'activation standard:	9 ns
Raccourcis pour l'article N°:	IPB95R450PFD7 SP005547014

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Fiche technique

IPB95R450PFD7ATMA1 Fiche technique (PDF)

ROHS Declaration of Compliance (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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