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IMYH200R100M1HXKSA1

Name: Infineon IMYH200R100M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMYH200R100M1HXK
Price: 15.96 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

726-IMYH200R100M1HXK

N° de fab. :

IMYH200R100M1HXKSA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

SiC MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package

Fiche technique:

IMYH200R100M1HXKSA1 Fiche technique (PDF)

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	15,96 €	15,96 €
	12,99 €	129,90 €
	10,83 €	1 083,00 €
	9,64 €	4 627,20 €
	9,01 €	10 812,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	2 kV
Id - Courant continu de fuite:	26 A
Rds On - Résistance drain-source:	131 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.5 V
Qg - Charge de grille:	55 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	217 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	CoolSIC
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	AT
Temps de descente:	5 ns
Transconductance directe - min.:	5 S
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	3 ns
Nombre de pièces de l'usine:	240
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	21 ns
Délai d'activation standard:	2 ns
Raccourcis pour l'article N°:	IMYH200R100M1H SP005427376

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Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET CoolSiC™ 2000 V

Les MOSFET CoolSiC™ 2 000 V d'Infineon Technologies sont des MOSFET à tranchée dans un boîtier TO-247PLUS-4-HCC. Ces MOSFET sont conçus pour fournir une densité de puissance accrue sans sacrifier la fiabilité du système, même dans des conditions exigeantes de haute tension et de fréquence de commutation. Les faibles pertes de puissance de la technologie CoolSiC™ offrent une fiabilité accrue grâce à la technologie d’interconnexion .XT et permettent un rendement maximal dans diverses applications. Les MOSFET 2 000 V disposent d’une tension de seuil de grille de référence de 4,5 V et offrent de très faibles pertes de commutation. Les applications typiques incluent les systèmes de stockage d’énergie, le chargement des véhicules électriques, le convertisseur de chaîne et l’optimiseur d’énergie solaire.