Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

IKW30N65ET7XKSA1

Name: Infineon IKW30N65ET7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKW30N65ET7XKSA1
Price: 4.25 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

726-IKW30N65ET7XKSA1

N° de fab. :

IKW30N65ET7XKSA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

IGBTs 650 V, 30 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package

Fiche technique:

IKW30N65ET7XKSA1 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de Infineon Technologies IKW30N65ET7XKSA1

En stock: 1 511

Stock:: 1 511 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 26 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	4,25 €	4,25 €
	2,78 €	27,80 €
	2,18 €	218,00 €
	1,81 €	868,80 €
	1,69 €	2 028,00 €
	1,57 €	4 144,80 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-247-3
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	650 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.35 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	60 A
Pd - Dissipation d’énergie :	188 W
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	IGBT7 T7
Conditionnement:	Tube
Marque:	Infineon Technologies
Pays d’assemblage:	CN
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	DE
Courant de fuite gâchette-émetteur:	100 nA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	240
Sous-catégorie:	IGBTs
Nom commercial:	TRENCHSTOP
Raccourcis pour l'article N°:	IKW30N65ET7 SP005348289

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

IKW30N65ET7XKSA1 Fiche technique (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

IGBT Duopack à faibles pertes

Les IGBT Duopack à faibles pertes Infineon Technologies sont conçus pour résister à l'humidité grâce aux technologies Trenchstop™ et Fieldstop™. Ils sont dotés d'une diode antiparallèle ultrarapide à recouvrement progressif, d'un courant de queue faible et d'un V_CEsat très faible.

IGBT7 discrets

Les IGBT IGBT7 Discretes d'Infineon Technologies sont la 7e génération des IGBT TRENCHSTOP™, créés avec la technologie de tranchée à motifs microstructurés. La technologie avancée fournit un contrôle et des performances inégalés, ce qui entraîne une réduction significative des pertes, une efficacité améliorée et une densité de puissance accrue dans les applications.