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IGI65D1414A3MSXUMA1

Name: Infineon IGI65D1414A3MSXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGI65D1414A3MSXU
Price: 6.1 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-IGI65D1414A3MSXU

N° de fab. :

IGI65D1414A3MSXUMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

FET GaN Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

IGI65D1414A3MSXUMA1 Fiche technique (PDF)

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	6,10 €	6,10 €
	4,12 €	41,20 €
	3,07 €	307,00 €
	2,92 €	2 920,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	2,61 €	7 830,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	QFN-32
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Rds On - Résistance drain-source:	170 mOhms
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.6 V
Qg - Charge de grille:	1.8 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Dual
Pays d’assemblage:	MY
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	AT
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Produit:	Transistors
Type de produit:	GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type de transistor:	2 N-Channel
Raccourcis pour l'article N°:	IGI65D1414A3MS SP005970004

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Fiche technique

IGI65D1414A3MSXUMA1 Fiche technique (PDF)

USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Transistors G5 CoolGaN™ de 650 V

Les transistors G5 CoolGaN™ de 650 V d’Infineon Technologies présentent une technologie de transistor en nitrure de gallium (GaN) hautement efficace pour la conversion d’énergie. La famille G5 de 650 V répond aux défis des applications industrielles, solaires, grand public et des centres de données. Les transistors offrent une efficacité et une densité de puissance améliorées du système avec une capacité de commutation ultra-rapide. La technologie CoolGaN fournit des solutions discrètes et intégrées conçues pour améliorer les performances globales du système. Les transistors G5 CoolGaN de 650 V d’Infineon Technologies permettent des fréquences de fonctionnement élevées et réduisent les valeurs EMI. Les transistors sont idéaux pour la distribution d’énergie, les alimentations électriques à découpage (SMPS), les télécommunications et d’autres applications industrielles.