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HT8MC5TB1

Name: ROHM Semiconductor HT8MC5TB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-HT8MC5TB1
Price: 1.64 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-HT8MC5TB1

N° de fab. :

HT8MC5TB1

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET HSMT8 NPCH 60V 10A

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,64 €	1,64 €
	1,05 €	10,50 €
	0,703 €	70,30 €
	0,558 €	279,00 €
	0,518 €	518,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,483 €	1 449,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	HSMT-8
Polarité du transistor:	N-Channel, P-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V, 60 V
Id - Courant continu de fuite:	10 A, 11.5 A
Rds On - Résistance drain-source:	90 mOhms, 109 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V, 2.5 V
Qg - Charge de grille:	3.1 nC, 17.1 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	13 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Dual
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	3.1 ns, 32 ns
Transconductance directe - min.:	2.3 S, 5 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	5 ns, 17 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Délai de désactivation type:	13 ns, 91 ns
Délai d'activation standard:	5.3 ns, 9.7 ns

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Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Canal double à petit signal MOSFET

Les MOSFET à canal double à petit signal ROHM Semiconductor présentent une faible résistance et une commutation rapide. Ces MOSFET sont conforme à la directive RoHS et incluent un placage sans Pb. Les MOSFET à canal double fonctionnent sur une plage de température de -55 °C à 150 °C. Ces MOSFET sont utilisés dans les entraînements à moteur et les applications de commutation.