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GP2T040A120U

Name: SemiQ GP2T040A120U
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP2T040A120U
Price: 9.65 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

148-GP2T040A120U

N° de fab. :

GP2T040A120U

Fab. :

SemiQ

Description :

SiC MOSFET SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-3L

Fiche technique:

GP2T040A120U Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	9,65 €	9,65 €
	5,77 €	57,70 €
	5,26 €	631,20 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	SemiQ
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	63 A
Rds On - Résistance drain-source:	37 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	118 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	322 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	SemiQ
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	PH
Temps de descente:	14 ns
Transconductance directe - min.:	16 S
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	14 ns
Série:	GP2T040A120
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	22 ns
Délai d'activation standard:	15 ns

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Fiche technique

GP2T040A120U Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GP2T040A120x SiC MOSFETs

SemiQ GP2T040A120x SiC MOSFETs benefit many applications, including Power Factor Correction, DC-DC Converter Primary Switching, and Synchronous rectification. The GP2T040A120x when combined with Silicon Carbide Schottky diodes offers optimal performance that can be achieved without the trade-offs made with Silicon devices. EV Charging, Solar/Wind, Industrial Controls, and HVAC systems benefit from the increased performance achieved with SemiQ SiC MOSFETs.