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GCMX040A120B2B1P

Name: SemiQ GCMX040A120B2B1P
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX040A120B2B1P
Price: 44.28 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

148-GCMX040A120B2B1P

N° de fab. :

GCMX040A120B2B1P

Fab. :

SemiQ

Description :

Modules MOSFET 1200V, 40mohm SiC MOSFET Half Bridge Module

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

GCMX040A120B2B1P Fiche technique (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	SemiQ
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
RoHS:
Technologie:	SiC
Style de montage:	Press Fit
Package/Boîte:	B2
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	56 A
Rds On - Résistance drain-source:	52 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	217 W
Série:	GCMX
Conditionnement:	Bulk
Marque:	SemiQ
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	16 ns
Hauteur:	15 mm
Longueur:	62.8 mm
Produit:	Modules
Type de produit:	MOSFET Modules
Temps de montée:	7 ns
Nombre de pièces de l'usine:	40
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Type:	Half Bridge Module
Délai de désactivation type:	40 ns
Délai d'activation standard:	19 ns
Vf - Tension directe:	3.4 V
Largeur:	33.8 mm

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Fiche technique

GCMX040A120B2B1P Fiche technique (PDF)

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Modules demi-pont MOSFET SiC 1200 V GCMX

Les modules à demi-pont MOSFET SiC GCMX 1 200 V de SemiQ offrent de faibles pertes de commutation, une faible résistance thermique jonction-boîtier et un montage aisé et très robuste. Ces modules sont montés directement sur le dissipateur thermique (boîtier isolé) et comprennent une référence Kelvin pour un fonctionnement stable. Toutes les pièces ont été rigoureusement testées pour résister à des tensions supérieures à 1 350 V. Ces modules sont caractérisés par leur solide tension drain-source de 1 200 V. Les modules à demi-pont GCMX fonctionnent à une température de jonction de 175°C et sont conformes à la directive RoHS. Les applications standard comprennent les onduleurs photovoltaïques, les chargeurs de batterie, les systèmes de stockage d’énergie et les convertisseurs CC-CC haute tension.