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GCMX005A120S3B1-N

Name: SemiQ GCMX005A120S3B1-N
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX005A120S3B1N
Price: 167.13 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

148-GCMX005A120S3B1N

N° de fab. :

GCMX005A120S3B1-N

Fab. :

SemiQ

Description :

Modules MOSFET 1200V, 5mohm SiC MOSFET Half Bridge Module

Cycle de vie:

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Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

GCMX005A120S3B1-N Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	SemiQ
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
RoHS:
Technologie:	SiC
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	S3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	424 A
Rds On - Résistance drain-source:	7 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.531 kW
Série:	GCMX
Conditionnement:	Bulk
Marque:	SemiQ
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	24 ns
Hauteur:	30.9 mm
Longueur:	106.4 mm
Produit:	Modules
Type de produit:	MOSFET Modules
Temps de montée:	18 ns
Nombre de pièces de l'usine:	15
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Type:	Half Bridge Module
Délai de désactivation type:	114 ns
Délai d'activation standard:	65 ns
Vf - Tension directe:	4 V
Largeur:	61.4 mm

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Fiche technique

GCMX005A120S3B1-N Fiche technique (PDF)

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Modules demi-pont MOSFET SiC 1200 V GCMX

Les modules à demi-pont MOSFET SiC GCMX 1 200 V de SemiQ offrent de faibles pertes de commutation, une faible résistance thermique jonction-boîtier et un montage aisé et très robuste. Ces modules sont montés directement sur le dissipateur thermique (boîtier isolé) et comprennent une référence Kelvin pour un fonctionnement stable. Toutes les pièces ont été rigoureusement testées pour résister à des tensions supérieures à 1 350 V. Ces modules sont caractérisés par leur solide tension drain-source de 1 200 V. Les modules à demi-pont GCMX fonctionnent à une température de jonction de 175°C et sont conformes à la directive RoHS. Les applications standard comprennent les onduleurs photovoltaïques, les chargeurs de batterie, les systèmes de stockage d’énergie et les convertisseurs CC-CC haute tension.

GCMX005A120S3B1-N QSiC™ MOSFET

SemiQ GCMX005A120S3B1-N QSiC™ MOSFET offers enhanced design flexibility and performance in current applications. The QSiC MOSFET operates with near-zero switching loss, increasing efficiency while reducing heat dissipation and the need for large heatsinks. Standing at 26.3mm in height with an industry-standard 62mm footprint, this module addresses the size, weight, and power demands of challenging applications. SemiQ GCMX005A120S3B1-N QSiC MOSFET features a 400A current rating and is suitable for induction heaters, welding equipment, and uninterruptible power supplies (UPS).