Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Retourner aux résultats de la recherche

Vous voyez une erreur ?

GCMX005A120B3B1P

Name: SemiQ GCMX005A120B3B1P
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX005A120B3B1P
Price: 114.23 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

148-GCMX005A120B3B1P

N° de fab. :

GCMX005A120B3B1P

Fab. :

SemiQ

Description :

Modules MOSFET SiC 1200V 5mohm MOSFET Half-Bridge Module

Fiche technique:

GCMX005A120B3B1P Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de SemiQ GCMX005A120B3B1P

En stock: 34

Stock:: 34 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 15 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Ce produit est expédié GRATUITEMENT

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	114,23 €	114,23 €
	102,30 €	1 023,00 €
	102,24 €	10 224,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 40)
	102,30 €	4 092,00 €
500	Devis

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	SemiQ
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
RoHS:
Technologie:	SiC
Style de montage:	Screw Mount
Polarité du transistor:	N-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	383 A
Rds On - Résistance drain-source:	4.4 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.8 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.154 kW
Série:	GCMX
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	SemiQ
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	29 ns
Type de produit:	MOSFET Modules
Temps de montée:	22 ns
Nombre de pièces de l'usine:	40
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Type:	Half-Bridge
Délai de désactivation type:	114 ns
Délai d'activation standard:	51 ns

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

GCMX005A120B3B1P Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Modules demi-pont MOSFET SiC 1200 V GCMX

Les modules à demi-pont MOSFET SiC GCMX 1 200 V de SemiQ offrent de faibles pertes de commutation, une faible résistance thermique jonction-boîtier et un montage aisé et très robuste. Ces modules sont montés directement sur le dissipateur thermique (boîtier isolé) et comprennent une référence Kelvin pour un fonctionnement stable. Toutes les pièces ont été rigoureusement testées pour résister à des tensions supérieures à 1 350 V. Ces modules sont caractérisés par leur solide tension drain-source de 1 200 V. Les modules à demi-pont GCMX fonctionnent à une température de jonction de 175°C et sont conformes à la directive RoHS. Les applications standard comprennent les onduleurs photovoltaïques, les chargeurs de batterie, les systèmes de stockage d’énergie et les convertisseurs CC-CC haute tension.