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FP35R12N2T7BPSA2

Name: Infineon FP35R12N2T7BPSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FP35R12N2T7BPSA2
Price: 56.29 EUR
Availability: OutOfStock

N° Mouser :

726-FP35R12N2T7BPSA2

N° de fab. :

FP35R12N2T7BPSA2

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

Modules IGBT 1200 V, 35 A PIM IGBT module

Fiche technique:

FP35R12N2T7BPSA2 Fiche technique (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	Modules IGBT
RoHS:
Produit:	IGBT Silicon Modules
Configuration:	3-Phase Inverter
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	1.2 kV
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.6 V
Courant collecteur continu de 25 C:	35 A
Courant de fuite gâchette-émetteur:	100 nA
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Conditionnement:	Tray
Marque:	Infineon Technologies
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	AT
Type de produit:	IGBT Modules
Nombre de pièces de l'usine:	15
Sous-catégorie:	IGBTs
Technologie:	Si
Raccourcis pour l'article N°:	FP35R12N2T7 SP005597311 FP35R12N2T7BPSA1

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Fiche technique

FP35R12N2T7BPSA2 Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

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