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FFSH2065BDN-F085

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N° Mouser :

863-FFSH2065BDN-F085

N° de fab. :

FFSH2065BDN-F085

Fab. :

onsemi

Description :

SiC Schottky Diodes 650V 20A SIC SBD

Fiche technique:

FFSH2065BDN-F085 Fiche technique

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Diodes Schottky SiC
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
REACH - SVHC:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Configuration:	Dual Anode Common Cathode
If - Courant direct:	20 A
Vrrm - Tension inverse répétitive:	650 V
Vf - Tension directe:	1.38 V
Ifsm - Courant de surtension direct:	42 A
Ir - Courant inverse:	40 uA
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	FFSH2065BDN_F085
Qualification:	AEC-Q101
Conditionnement:	Tube
Marque:	onsemi
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Pd - Dissipation d’énergie :	65 W
Type de produit:	SiC Schottky Diodes
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Diodes & Rectifiers
Nom commercial:	EliteSiC
Vr - Tension inverse:	650 V
Poids de l''unité:	5,457 g

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Fiche technique

FFSH2065BDN-F085 Fiche technique

PCN

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

FFSPx065BDN-F085 Automotive SiC Schottky Diodes

onsemi FFSPx065BDN-F085 Automotive Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes are AEC-Q101-qualified devices designed to leverage the advantages of Silicon Carbide (Si) over Silicon. The FFSPx065BDN-F085 SiC Schottky Diodes feature drastically higher forward surge capability, lower reverse leakage, and no reverse recovery current. These SiC Schottky Diodes also offer temperature-independent switching and excellent thermal performance. This results in improved system efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size/cost.

Dispositifs SiC à large bande interdite

Les dispositifs au carbure de silicium (SiC) à large bande interdite (WBG) d'onsemi intègrent une toute nouvelle technologie qui assure des performances de commutation et une fiabilité meilleures que celles du silicium. Le système bénéficie d'un rendement le plus élevé, d'une fréquence de fonctionnement plus rapide, d'une densité de puissance accrue, d'une réduction des EMI et de la taille et du coût du système. Le portefeuille SiC d'onsemi’ comprend des diodes 650 V et 1 200 V, des modules de puissance intégrés IGBT et à diode SiC 650 V et 1 200 V et des dispositifs homologués AEC-Q100.

Diodes EliteSiC D2

Les diodes EliteSiC D2 d'onsemi constituent une gamme de diodes à hautes performances conçues pour les applications nécessitant une tension nominale de 650 V. La D2 d'onsemi est disponible en divers boîtiers, notamment DPAK-3, D2PAK-2, D2PAK-3, PQFN-4, TO-220-2, TO-220-3, TO-247-2 et TO-247-3. Ces diodes affichent une faible charge capacitive (QC) et sont optimisées pour une commutation à haute vitesse avec une tension directe faible. Ces caractéristiques rendent les diodes idéales pour la correction du facteur de puissance (PFC) et les applications de redressement de sortie.

650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.