FDMS86180

onsemi
512-FDMS86180
FDMS86180

Fab. :

Description :
MOSFET 100V/20V N-Channel PTNG MOSFET

Fiche technique:
Modèle de ECAO:
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En stock: 2 901

Stock:
2 901 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
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Long délai signalé sur ce produit.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ †
5,19 € 5,19 €
3,60 € 36,00 €
2,61 € 261,00 €
2,60 € 1 300,00 €
2,43 € 2 430,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
2,43 € 7 290,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
onsemi
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
Power-56-8
N-Channel
1 Channel
100 V
151 A
2.4 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
84 nC
- 55 C
+ 150 C
138 W
Enhancement
PowerTrench
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: onsemi
Configuration: Single
Pays d’assemblage: PH
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: KR
Temps de descente: 7 ns
Transconductance directe - min.: 144 S
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 12 ns
Série: FDMS86180
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 30 ns
Délai d'activation standard: 24 ns
Poids de l''unité: 122,136 mg
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs

onsemi Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs are 100V N-channel MV MOSFETs developed using an advanced PowerTrench process that integrates Shielded Gate Technology. These MOSFETs minimize on-state resistance (RDSON) and reverse recovery charge (Qrr) to deliver superior switching performance and efficiency. The small gate charge (QG), small reverse recovery charge (Qrr), and Figure of Merit (FOM) ensure fast switching for synchronous rectification applications. These devices have little to no voltage overshoot, reduces voltage ringing, and lowers EMI for applications requiring a 100V-rated MOSFET such as power supplies and motor drives. The power density of these MOSFETs allows wider MOSFET de-rating. These devices are 100% UIL tested and are available in an MSL1 robust package design.

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