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FDBL9406-F085T6

Name: onsemi FDBL9406-F085T6
Brand: onsemi
SKU: 863-FDBL9406-F085T6
Price: 2.67 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

863-FDBL9406-F085T6

N° de fab. :

FDBL9406-F085T6

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET T6 40V SG SINGLE NCH TOLL 1.2 MOHMS MAX

Fiche technique:

FDBL9406-F085T6 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	2,67 €	2,67 €
	1,70 €	170,00 €
	1,60 €	800,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2000)
	0,929 €	1 858,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-LL8-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	240 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.21 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 16 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.5 V
Qg - Charge de grille:	75 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	136.4 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	onsemi
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	JP
Type de produit:	MOSFETs
Série:	FDBL9406-F085T6
Nombre de pièces de l'usine:	2000
Sous-catégorie:	Transistors

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Fiche technique

FDBL9406-F085T6 Fiche technique

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance à canal unique N

Les MOSFET de puissance à canal unique N d'onsemi sont des MOSFET compacts et de faible encombrement avec un faible R_DS(on) et une faible capacité. La faible valeur R_DS(on) aide à minimiser les pertes de conduction, et la faible capacité minimise les pertes du pilote. Ces MOSFET de puissance à canal unique N sont sans Pb et conformes à la directive RoHS. Leur plage de température de fonctionnement s'étend de -55 °C à +175 °C.