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E4MS036120K

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N° Mouser :

941-E4MS036120K

N° de fab. :

E4MS036120K

Fab. :

Wolfspeed

Description :

SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 36mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

E4MS036120K Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Wolfspeed
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	55 A
Rds On - Résistance drain-source:	47 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.6 V
Qg - Charge de grille:	88 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	211 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Marque:	Wolfspeed
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	US
Temps de descente:	4 ns
Transconductance directe - min.:	20 S
Produit:	SiC MOSFET
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	3 ns
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type de transistor:	1 N-Channe
Type:	Silicon Carbide Power MOSFET
Délai de désactivation type:	29 ns
Délai d'activation standard:	12 ns

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Fiche technique

E4MS036120K Fiche technique (PDF)

ECCN:: EAR99

MOSFET SiC discrets E4MS 1 200 V

Les MOSFET discrets en carbure de silicium (SiC) E4MS 1 200 V de Wolfspeed offrent des performances inégalées dans les applications automobiles embarquées. La famille E4MS utilise une diode à corps souple et rapide qui permet une commutation rapide avec dépassement et sonnerie minimaux, élargissant ainsi l'espace de conception utilisable pour les ingénieurs afin d'optimiser les performances dans l'application. La famille E4MS offre des pertes Eon, ERR et Eoff améliorées par rapport à la famille de dispositifs E3M, tout en maintenant un faible coefficient de température RDS_(on). Cette approche équilibrée offre des performances et une efficacité maximales pour une large gamme de topologies embarquées.