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DXTP80030DFGQ-7

Name: Diodes Incorporated DXTP80030DFGQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DXTP80030DFGQ-7
Price: 0.43 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

621-DXTP80030DFGQ-7

N° de fab. :

DXTP80030DFGQ-7

Fab. :

Diodes Incorporated

Description :

Transistors bipolaires - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

Cycle de vie:

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Fiche technique:

DXTP80030DFGQ-7 Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Diodes Incorporated
Catégorie du produit:	Transistors bipolaires - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerVDFN-8
Polarité du transistor:	PNP
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	30 V
Collecteur - Tension de base VCBO:	40 V
Émetteur - Tension de base VEBO:	8 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	130 mV
Pd - Dissipation d’énergie :	2.4 W
Produit gain-bande passante fT :	190 MHz
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Qualification:	AEC-Q101
Série:	DXTP
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Diodes Incorporated
Courant de collecteur continu :	- 7.5 A
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Gain de courant CC hFE max.:	550 at - 100 mA
Type de produit:	BJTs - Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	2000
Sous-catégorie:	Transistors

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Transistors bipolaires DXTN/P 78Q et 80Q

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Transistors bipolaires PNP DXTP80x

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