DXTP78030DFGQ-7

Diodes Incorporated
621-DXTP78030DFGQ-7
DXTP78030DFGQ-7

Fab. :

Description :
Transistors bipolaires - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

Cycle de vie:
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Diodes Incorporated
Catégorie du produit: Transistors bipolaires - BJT
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerVDFN-8
PNP
Single
30 V
40 V
8 V
170 mV
2.4 W
315 MHz
- 55 C
+ 175 C
AEC-Q101
DXTP
Reel
Cut Tape
Marque: Diodes Incorporated
Courant de collecteur continu : - 6.5 A
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: CN
Gain de courant CC hFE max.: 550 at - 100 mA
Type de produit: BJTs - Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine: 2000
Sous-catégorie: Transistors
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Transistors bipolaires DXTN/P 78Q et 80Q

Les Transistors bipolaires Diodes Incorporated DXTN/P 78Q et 80Q ont des valeurs nominales de 30, 60 et 100 V et ont un rendement de conduction et des performances thermiques exceptionnels pour la commutation et pour la régulation exigeantes de puissance automobile. Les transistors bipolaires NPN et PNP à très basse VCE(SAT) se révèlent idéaux pour des systèmes de 12 V, 24 V et 48 V prenant en charge des applications telles que le pilotage de grilles à MOSFET et à IGBT, la commutation de charges, la régulation LDO, la conversion CC-CC et la commande de moteurs/d'actionneurs.