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DXTN80030DFGQ-7

Name: Diodes Incorporated DXTN80030DFGQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DXTN80030DFGQ-7
Price: 0.43 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

621-DXTN80030DFGQ-7

N° de fab. :

DXTN80030DFGQ-7

Fab. :

Diodes Incorporated

Description :

Transistors bipolaires - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

Cycle de vie:

Nouveau produit:

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Fiche technique:

DXTN80030DFGQ-7 Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Diodes Incorporated
Catégorie du produit:	Transistors bipolaires - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerVDFN-8
Polarité du transistor:	NPN
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	30 V
Collecteur - Tension de base VCBO:	80 V
Émetteur - Tension de base VEBO:	8 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	120 mV
Pd - Dissipation d’énergie :	2.4 W
Produit gain-bande passante fT :	130 MHz
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Qualification:	AEC-Q101
Série:	DXTN
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Diodes Incorporated
Courant de collecteur continu :	10 A
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Gain de courant CC hFE max.:	550 at 100 mA
Type de produit:	BJTs - Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	2000
Sous-catégorie:	Transistors

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DXTN80030DFGQ-7 Fiche technique (PDF)

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TARIC:: 8541210000
USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

Transistors bipolaires DXTN/P 78Q et 80Q

Les Transistors bipolaires Diodes Incorporated DXTN/P 78Q et 80Q ont des valeurs nominales de 30, 60 et 100 V et ont un rendement de conduction et des performances thermiques exceptionnels pour la commutation et pour la régulation exigeantes de puissance automobile. Les transistors bipolaires NPN et PNP à très basse V_CE(SAT) se révèlent idéaux pour des systèmes de 12 V, 24 V et 48 V prenant en charge des applications telles que le pilotage de grilles à MOSFET et à IGBT, la commutation de charges, la régulation LDO, la conversion CC-CC et la commande de moteurs/d'actionneurs.

Transistors bipolaires NPN DXTN80x

Les transistors bipolaires NPN DXTN80x de Diodes Incorporated sont en boîtier PowerDI^®3333-8 de petit facteur de forme et de haut rendement thermique, ce qui permet d’obtenir des produits finaux à densité supérieure. Ces dispositifs fournissent une tension collecteur-émetteur supérieure à 30, 60 ou 100 V et une tension émetteur-base supérieure à 8 V. Le DXTN80x est idéal pour les environnements à haute température, avec une température nominale de +175 °C. Les Transistors bipolaires NPN de Diodes Inc. DXTN80x sont excellents pour des moteurs, des solénoïdes, des relais et des commandes de pilotes d'actionneurs.