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DIW065SIC049

Name: Diotec Semiconductor DIW065SIC049
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DIW065SIC049
Price: 12.95 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

637-DIW065SIC049

N° de fab. :

DIW065SIC049

Fab. :

Diotec Semiconductor

Description :

SiC MOSFET

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

DIW065SIC049 Fiche technique (PDF)

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	12,95 €	12,95 €
	7,94 €	79,40 €
	6,84 €	820,80 €
	6,62 €	3 376,20 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Diotec Semiconductor
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	60 A
Rds On - Résistance drain-source:	49 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 5 V, + 18 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	128 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	550 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	DIW065SIC049
Marque:	Diotec Semiconductor
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	9 ns
Transconductance directe - min.:	23 S
Produit:	MOSFETs
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	35 ns
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	22 ns
Délai d'activation standard:	12 ns

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Fiche technique

DIW065SIC049 Fiche technique (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Diotec Semiconductor TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are ideally suited for high voltage and high frequency switching used in charging systems for electric vehicles (EV), solar inverters, or telecom power supplies. These MOSFETs feature a high 1200V and 650V reverse voltage, extremely low on-resistance, total Gate charge, low switching time, and low total switching energy. Advanced planar technology and the Silicon Carbide wafer material enable higher on-resistances at higher switching frequencies. These MOSFETs are used in DC-DC converters, DC drives, inverters, charging stations, Power Factor Correction (PFC), solar inverters, and power supplies.