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C3M0160120K1

Name: Wolfspeed C3M0160120K1
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-C3M0160120K1
Price: 6.28 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

941-C3M0160120K1

N° de fab. :

C3M0160120K1

Fab. :

Wolfspeed

Description :

SiC MOSFET SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial

Fiche technique:

C3M0160120K1 Fiche technique (PDF)

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	3,62 €	36,20 €
	3,03 €	363,60 €
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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Wolfspeed
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-4LP
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	17.9 A
Rds On - Résistance drain-source:	280 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 4 V, + 15 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.8 V
Qg - Charge de grille:	32 nC
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	103 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	Wolfspeed
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	12 ns
Transconductance directe - min.:	4.6 S
Produit:	MOSFETs
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	9 ns
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type de transistor:	1 N-Channel
Type:	Silicon Carbide Power MOSFET
Délai de désactivation type:	13 ns
Délai d'activation standard:	8 ns

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C3M0160120K1 Fiche technique (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-10-02 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance SiC 1 200 V à profil mince TO-247-4

Les MOSFET de puissance au carbure de silicium (SiC) 1 200 V à profil mince TO-247-4 de Wolfspeed intègrent une commutation haute vitesse à faibles capacités et une tension de blocage élevée à faible résistance à l’état passant Ces MOSFET de puissance réduisent les pertes de commutation et les exigences de refroidissement et minimisent les résonances de grille. Les MOSFET de puissance au SiC et de 1 200 V intègrent une diode intrinsèque rapide à faible récupération inverse (Q_rr). Ces MOSFET de puissance augmentent la densité de puissance et la fréquence de commutation du système. Les MOSFET de puissance au SiC et de 1 200 V sont fournis en boîtiers optimisés avec des broches sources séparées de pilotes et sont disponibles en boîtier TO-247-4 à profil mince. Ces MOSFET de puissance sont sans halogène et conformes à la directive RoHS. Les applications standard incluent la commande de moteur, les chargeurs de batterie EV, les convertisseurs CC-CC haute tension, les systèmes solaires/ESS, les onduleurs et les PSU d’entreprise.

MOSFET de puissance au carbure de silicium 1 200 V

Les MOSFET de puissance au carbure de silicium 1 200 V de Wolfspeed définissent la norme en termes de performances, de robustesse et de facilité de conception. Les MOSFET de Wolfspeed disposent de capacités de commutation rapide et de faible perte de commutation, assurant une amélioration significative du rendement du système, de la densité de puissance et du coût global de nomenclature par rapport aux composants MOSFET au silicium et IGBT.

MOSFET et diodes au carbure de silicium 1 200 V

Les MOSFET et diodes 1 200 V au carbure de silicium (SiC) de Wolfspeed créent une combinaison puissante à plus haut rendement dans les applications exigeantes. Ces MOSFET et diodes Schottky sont conçus pour être utilisés dans les applications à haute puissance. Les MOSFET au SiC de 1 200 V présentent une R_ds(on) stable en cas de surchauffe et une certaine robustesse face aux d'avalanches. Ces MOSFET sont des diodes de corps robustes qui ne nécessitent pas de diodes externes et sont plus faciles à piloter car elles offrent un pilote de grille de 15 V. Les MOSFET au SiC de 1 200 V ont un rendement amélioré au niveau du système avec de moindres pertes de commutation et de conduction et une densité améliorée de puissance au niveau du système.