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C3M0032120K

Name: Wolfspeed C3M0032120K
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-C3M0032120K
Price: 11.4 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

941-C3M0032120K

N° de fab. :

C3M0032120K

Fab. :

Wolfspeed

Description :

SiC MOSFET 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET

Fiche technique:

C3M0032120K Fiche technique

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Wolfspeed
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	63 A
Rds On - Résistance drain-source:	32 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 4 V, + 15 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.6 V
Qg - Charge de grille:	118 nC
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	283 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	Wolfspeed
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	9 ns
Transconductance directe - min.:	27 S
Conditionnement:	Tube
Produit:	MOSFETs
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	18 ns
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	32 ns
Délai d'activation standard:	25 ns
Poids de l''unité:	6 g

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C3M0032120K Fiche technique

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance au carbure de silicium 1 200 V

Les MOSFET de puissance au carbure de silicium 1 200 V de Wolfspeed définissent la norme en termes de performances, de robustesse et de facilité de conception. Les MOSFET de Wolfspeed disposent de capacités de commutation rapide et de faible perte de commutation, assurant une amélioration significative du rendement du système, de la densité de puissance et du coût global de nomenclature par rapport aux composants MOSFET au silicium et IGBT.

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MOSFET et diodes au carbure de silicium 1 200 V

Les MOSFET et diodes 1 200 V au carbure de silicium (SiC) de Wolfspeed créent une combinaison puissante à plus haut rendement dans les applications exigeantes. Ces MOSFET et diodes Schottky sont conçus pour être utilisés dans les applications à haute puissance. Les MOSFET au SiC de 1 200 V présentent une R_ds(on) stable en cas de surchauffe et une certaine robustesse face aux d'avalanches. Ces MOSFET sont des diodes de corps robustes qui ne nécessitent pas de diodes externes et sont plus faciles à piloter car elles offrent un pilote de grille de 15 V. Les MOSFET au SiC de 1 200 V ont un rendement amélioré au niveau du système avec de moindres pertes de commutation et de conduction et une densité améliorée de puissance au niveau du système.

MOSFET de puissance au carbure de silicium C3M0032120K

Les MOSFET de puissance au carbure de silicium C3M0032120K Wolfspeed sont conçus à partir de la technologie MOSFET C3M™. Les C3M0032120K sont caractérisés par 1 200 V de V_DS, 63 A de I_D et 32 de R_DS(on). Les MOSFET de puissance permettent de réduire les pertes de commutation et de limiter la résonance de grille à un niveau minimal. Les dispositifs sont dotés d'une diode intrinsèque rapide avec une faible récupération inverse (Qrr). Les MOSFET C3M0032120K offrent une densité de puissance et une fréquence de commutation de système supérieures, avec des exigences de refroidissement réduites. Les C3M0032120K sont idéaux pour les onduleurs solaires, les entraînements de moteurs EV, les convertisseurs CC/CC à haute tension, les sources d'alimentation en mode commuté et les commutateurs de charge.

SiC C3M MOSFETs

Wolfspeed SiC C3M MOSFETs enable higher switching frequencies and reduce inductor, capacitor, filter, and transformer component sizes. The Wolfspeed SiC C3M MOSFETs have higher system efficiency and reduced cooling requirements. The MOSFETs also increase power density and system switching frequency.