Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Retourner aux résultats de la recherche

Vous voyez une erreur ?

C3M0032120D

Name: Wolfspeed C3M0032120D
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-C3M0032120D
Price: 11.4 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

941-C3M0032120D

N° de fab. :

C3M0032120D

Fab. :

Wolfspeed

Description :

SiC MOSFET 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET

Fiche technique:

C3M0032120D Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de Wolfspeed C3M0032120D

En stock: 316

Stock:: 316 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	11,40 €	11,40 €
	6,91 €	69,10 €
	6,54 €	784,80 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Wolfspeed
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	63 A
Rds On - Résistance drain-source:	32 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 4 V, + 15 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.6 V
Qg - Charge de grille:	114 nC
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	283 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	Wolfspeed
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	19 ns
Transconductance directe - min.:	27 S
Conditionnement:	Tube
Produit:	MOSFETs
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	22 ns
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	39 ns
Délai d'activation standard:	107 ns
Poids de l''unité:	6 g

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

C3M0032120D Fiche technique

PCN

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance au carbure de silicium 1 200 V

Les MOSFET de puissance au carbure de silicium 1 200 V de Wolfspeed définissent la norme en termes de performances, de robustesse et de facilité de conception. Les MOSFET de Wolfspeed disposent de capacités de commutation rapide et de faible perte de commutation, assurant une amélioration significative du rendement du système, de la densité de puissance et du coût global de nomenclature par rapport aux composants MOSFET au silicium et IGBT.

MOSFET et diodes au carbure de silicium 1 200 V

Les MOSFET et diodes 1 200 V au carbure de silicium (SiC) de Wolfspeed créent une combinaison puissante à plus haut rendement dans les applications exigeantes. Ces MOSFET et diodes Schottky sont conçus pour être utilisés dans les applications à haute puissance. Les MOSFET au SiC de 1 200 V présentent une R_ds(on) stable en cas de surchauffe et une certaine robustesse face aux d'avalanches. Ces MOSFET sont des diodes de corps robustes qui ne nécessitent pas de diodes externes et sont plus faciles à piloter car elles offrent un pilote de grille de 15 V. Les MOSFET au SiC de 1 200 V ont un rendement amélioré au niveau du système avec de moindres pertes de commutation et de conduction et une densité améliorée de puissance au niveau du système.

SiC C3M MOSFETs

Wolfspeed SiC C3M MOSFETs enable higher switching frequencies and reduce inductor, capacitor, filter, and transformer component sizes. The Wolfspeed SiC C3M MOSFETs have higher system efficiency and reduced cooling requirements. The MOSFETs also increase power density and system switching frequency.