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BUK9K52-60RAX

Name: Nexperia BUK9K52-60RAX
Brand: Nexperia
SKU: 771-BUK9K52-60RAX
Price: 1.18 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

771-BUK9K52-60RAX

N° de fab. :

BUK9K52-60RAX

Fab. :

Nexperia

Description :

MOSFET SOT1205 2NCH 60V 16A

Fiche technique:

BUK9K52-60RAX Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,18 €	1,18 €
	0,937 €	9,37 €
	0,64 €	64,00 €
	0,556 €	278,00 €
	0,495 €	495,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)
	0,286 €	429,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Nexperia
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	LFPAK-56D-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	16 A
Rds On - Résistance drain-source:	55 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.1 V
Qg - Charge de grille:	5.6 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	32 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Nexperia
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	PH
Temps de descente:	9 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	10.1 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	10.7 ns
Délai d'activation standard:	6.2 ns
Raccourcis pour l'article N°:	934662538115

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

ASFET pour avalanche répétitive

Les ASFET Nexperia pour avalanche répétitive offrent une tension drain-source maximale de 40 V_DS à 60 V_DS, une plage de courant de drain de 16 I_D à 40 I_D et une charge grille-drain de 7,9 Q_GD. Les ASFET sont totalement homologués AEC-Q101 pour l'automobile et offrent une robustesse, une fiabilité et une technologie de boîtier à clip en cuivre LFPAK. Les ASFET Nexperia pour avalanche répétitive sont idéaux pour les systèmes automobiles 12 V, 24 V et 48 V, les topologies d'avalanche répétitives et les applications de commande de moteur.

ASFET automobiles

Les ASFET automobiles de Nexperia sont des MOSFET spécifiques aux applications optimisés pour des cas d'utilisation spécifiques. Alors que les concepteurs repoussent les limites de la performance applicative, il est de plus en plus crucial de comprendre comment le MOSFET sera utilisé dans l’application. Par le passé, un commutateur d’alimentation standard avec un facteur de mérite donné (R_DS(on) x Q_g) fonctionnerait essentiellement dans n’importe quelle application. Cependant, pour répondre aux exigences ou fonctionnalités spécifiques des applications, l’optimisation d’un ensemble de paramètres MOSFET est de plus en plus nécessaire pour répondre à ces exigences. Par exemple, les applications peuvent nécessiter des performances améliorées en mode linéaire ou une fonctionnalité d’avalanche répétitive. Nexperia combine une expertise éprouvée des MOSFET avec une large compréhension des applications pour créer une gamme grandissante de MOSFET spécifiques aux applications.