Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

BSC112N06LDATMA1

Name: Infineon BSC112N06LDATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSC112N06LDATMA1
Price: 1.93 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

726-BSC112N06LDATMA1

N° de fab. :

BSC112N06LDATMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET IFX FET 60V

Fiche technique:

BSC112N06LDATMA1 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de Infineon Technologies BSC112N06LDATMA1

En stock: 250

Stock:: 250 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 8 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,93 €	1,93 €
	1,23 €	12,30 €
	0,832 €	83,20 €
	0,663 €	331,50 €
	0,594 €	594,00 €
	0,588 €	1 470,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)
	0,566 €	2 830,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TDSON-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	20 A
Rds On - Résistance drain-source:	11.2 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.2 V
Qg - Charge de grille:	55 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	65 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Dual
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	MY
Temps de descente:	7 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	3 ns
Série:	BSC112N06
Nombre de pièces de l'usine:	5000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	2 N-Channel
Délai de désactivation type:	51 ns
Délai d'activation standard:	11 ns
Raccourcis pour l'article N°:	BSC112N06LD SP002594372

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

BSC112N06LDATMA1 Fiche technique (PDF)

Product Catalogs

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance à double canal Super Cool OptiMOS™

Les MOSFET de puissance à double canal Super Cool OptiMOS™ d'Infineon Technologies sont des transistors de puissance à canal N dans un boîtier SuperSO8 avec une capacité de refroidissement double pour de meilleures performances thermiques. Les MOSFET de puissance OptiMOS Infineon sont développés pour une efficacité, une densité de puissance et une rentabilité supérieures. Ces composants disposent d’une faible résistance à l’état passant (R_DS(on)) et d’une faible charge de récupération inverse (Q_rr), augmentant la densité de puissance tout en améliorant la robustesse et la fiabilité du système. La classe +175 °C facilite les conceptions avec soit plus de puissance à une température de jonction en fonctionnement plus élevée, soit une durée de vie plus longue à la même température de jonction en fonctionnement.