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AFGH4L25T120RW

Name: onsemi AFGH4L25T120RW
Brand: onsemi
SKU: 863-AFGH4L25T120RW
Price: 7.06 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-AFGH4L25T120RW

N° de fab. :

AFGH4L25T120RW

Fab. :

onsemi

Description :

IGBTs FS7 1200V 25A SCR IGBT STAND-ALONE TO247 4L

Cycle de vie:

Nouveau chez Mouser

Fiche technique:

AFGH4L25T120RW Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-247-4
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	1.2 kV
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.37 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	50 A
Pd - Dissipation d’énergie :	416 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	AFGH4L25T120RW
Conditionnement:	Tube
Marque:	onsemi
Courant de collecteur continu Ic max.:	25 A
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Courant de fuite gâchette-émetteur:	400 nA
Type de produit:	IGBTs
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors

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Fiche technique

AFGH4L25T120RW Fiche technique

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

IGBT à canal N unique 1 200 V 25 A AFGHxL25T

Les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) et canal N unique 1 200 V 25 A AFGHxL25T d'onsemi disposent d’une construction robuste et économique à arrêt de champ en tranchée VII. L'AFGHxL25T onsemi offre des performances supérieures dans les applications de commutation exigeantes. La faible tension à l’état passant et la perte de commutation minimale offrent des performances de topologie de commutation dure et douce optimales dans les applications automobiles.