Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

NVMFS5C456NLAFT1G-YE

Name: onsemi NVMFS5C456NLAFT1G-YE
Brand: onsemi
SKU: 863-FS5C456NLAFT1GYE
Price: 1.18 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

863-FS5C456NLAFT1GYE

N° de fab. :

NVMFS5C456NLAFT1G-YE

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET T6 40V NCH LL IN S08FL

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

NVMFS5C456NLAFT1G-YE Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de onsemi NVMFS5C456NLAFT1G-YE

En stock: 1 184

Stock:: 1 184

Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Sur commande:: 1 500
Délai usine :: 28

Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Long délai signalé sur ce produit.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,18 €	1,18 €
	0,74 €	7,40 €
	0,489 €	48,90 €
	0,402 €	201,00 €
	0,347 €	347,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)
	0,314 €	471,00 €
	0,303 €	909,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-5
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	87 A
Rds On - Résistance drain-source:	3.7 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	18 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	55 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	MY
Pays de diffusion:	JP
Pays d'origine:	MY
Temps de descente:	10 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	54 ns
Série:	NVMFS5C456NL
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	34 ns
Délai d'activation standard:	13 ns

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

NVMFS5C456NLAFT1G-YE Fiche technique

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET MV à canal N Trench6

Les MOSFET MV à canal N Trench6 onsemi sont des MOSFET de 30 V, 40 V et 60 V fabriqués selon le procédé innovant Power Trench qui utilise la technologie de grille blindée. Ce procédé a été optimisé pour minimiser la résistance à l'état passant tout en maintenant des performances de commutation excellentes avec la meilleure diode de corps à recouvrement progressif du marché.