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NTHL045N065SC1

Name: onsemi NTHL045N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTHL045N065SC1
Price: 10.04 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NTHL045N065SC1

N° de fab. :

NTHL045N065SC1

Fab. :

onsemi

Description :

SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V

Fiche technique:

NTHL045N065SC1 Fiche technique

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	10,04 €	10,04 €
	7,28 €	72,80 €
	6,97 €	836,40 €
	6,79 €	3 462,90 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	66 A
Rds On - Résistance drain-source:	50 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.3 V
Qg - Charge de grille:	105 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	291 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	EliteSiC
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	KR
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	7 ns
Transconductance directe - min.:	14 S
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	30 ns
Série:	NTHL045N065SC1
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	26 ns
Délai d'activation standard:	14 ns

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Fiche technique

NTHL045N065SC1 Fiche technique

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET EliteSiC M2

Les MOSFET EliteSiC M2 d'onsemi sont disponibles pour des tensions de 650 V, 750 V et 1 200 V. Les MOSFET M2 d'onsemi sont proposés dans différents boîtiers, notamment D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD et TO-247-4LD. Les MOSFET offrent une flexibilité de conception et de mise en œuvre. De plus, les MOSFET EliteSic M2 disposent d’une tension grille-source maximale de +22 V/-8 V, d’une faible R_DS(on) et d’un temps de résistance aux courts-circuits (SCWT) élevé.

Pilotes de grille d’appariement avec MOSFET EliteSiC

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Le MOSFET au carbure de silicium (SIC) NTHL045N065SC1 d'Onsemi utilise une technologie totalement nouvelle qui fournit des performances de commutation supérieures et une haute fiabilité par rapport au silicium. Ce MOSFET compact de taille puce est conçu avec une faible résistance à l’état passant et garantit une capacité et une charge de grille faibles. Le MOSFET NTHL045N065SC1 dispose d’un rendement élevé, d’une fréquence de fonctionnement plus rapide, d’une densité de puissance accrue, d’une réduction des EMI et d’une taille de système réduite. Les applications standard comprennent les alimentations à découpage (SMPS), les onduleurs solaires, les convertisseurs CC-CC, les onduleurs et le stockage d’énergie.

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Les MOSFETs 650 V au carbure de silicium (SiC) d'onsemi offrent des performances de commutation supérieures et une plus grande fiabilité par rapport au silicium (Si). Ces MOSFET SiC 650 V ont une faible résistance à l'état passant et une taille de puce compacte pour garantir une faible capacité et une faible charge de grille. Ils présentent les avantages suivants : rendement élevé, fréquence de fonctionnement rapide, densité de puissance accrue, réduction des EMI et réduction de la taille du système.