Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

FFSD2065B

Name: onsemi FFSD2065B
Brand: onsemi
SKU: 863-FFSD2065B
Price: 3.23 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

863-FFSD2065B

N° de fab. :

FFSD2065B

Fab. :

onsemi

Description :

Diodes Schottky SiC SIC DIODE DPAK 650V

Fiche technique:

FFSD2065B Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de onsemi FFSD2065B

En stock: 2 052

Stock:: 2 052 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 16 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	3,23 €	3,23 €
	2,52 €	25,20 €
	2,12 €	212,00 €
	2,09 €	1 045,00 €
	2,02 €	2 020,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	2,02 €	5 050,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Diodes Schottky SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DPAK-3 (TO-252-3)
Configuration:	Single
If - Courant direct:	20 A
Vrrm - Tension inverse répétitive:	650 V
Vf - Tension directe:	1.38 V
Ifsm - Courant de surtension direct:	80 A
Ir - Courant inverse:	40 uA
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	FFSD2065B
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Pd - Dissipation d’énergie :	160 W
Type de produit:	SiC Schottky Diodes
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Diodes & Rectifiers
Nom commercial:	EliteSiC
Vr - Tension inverse:	650 V

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

FFSD2065B Fiche technique

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Diodes EliteSiC D2

Les diodes EliteSiC D2 d'onsemi constituent une gamme de diodes à hautes performances conçues pour les applications nécessitant une tension nominale de 650 V. La D2 d'onsemi est disponible en divers boîtiers, notamment DPAK-3, D2PAK-2, D2PAK-3, PQFN-4, TO-220-2, TO-220-3, TO-247-2 et TO-247-3. Ces diodes affichent une faible charge capacitive (QC) et sont optimisées pour une commutation à haute vitesse avec une tension directe faible. Ces caractéristiques rendent les diodes idéales pour la correction du facteur de puissance (PFC) et les applications de redressement de sortie.

650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.